創見 4G DDR3 1066 筆記型記憶體

創見 4G DDR3 1066 筆記型記憶體
DDR3 為新一代記憶體規格，相較於DDR2之4位元預取緩衝架構，DDR3的8位元預取緩衝架構可提供更快的傳輸速率及更大的傳輸頻寬；搭配雙核心或四核心的處理器，能大幅提昇電腦系統的整體效能。此外，DDR3記憶體模組的工作電壓為1.5伏特，相對於需要1.8伏特電壓的DDR2模組而言，能有效減低20% 至30%的耗電量，並確保高速運算時的系統穩定度及效能。創見DDR3盒裝記憶體模組採新式 Fly-by電路架構設計，可使DRAM與控制器 (Controller)間的訊號傳輸更有效率；支援ODT（On-DIMM Termination）技術，可降低高速運作時記憶體訊號的回授，提高記憶體時脈的極限值。此外，其在佈線路徑、走線長度及電氣特性方面，均完全符合 JEDEC（the Joint Electron Device Engineering Council）的嚴格規範，可適用於嚴苛的工作環境，並避免雜訊干擾；搭載原廠之FBGA記憶體晶片，可提供絕佳的電氣特性及散熱性，大幅提昇系統的整體效能。